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我国在芯片制造领域取得新突破

来源: 海淀园管委会 发布时间: 2018年12月07日 浏览:

  近日,经过近七年艰苦攻关,“超分辨光刻装备研制”项目通过验收。这意味着,现在中国有了“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。

  光刻机是芯片制造的核心装备。 我国一直在芯片行业受制于人,在光刻机领域更是如此,时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。

  对于这次的突破,验收专家组的意见是:“该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。”

  在此基础上,项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺,实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。另外,这个项目还发表了论文68篇,申请国家发明专利92项,其中授权47项,申请国际专利8项,授权4项,为国家培养了一支超分辨光刻技术和装备研发团队。

  这个突破亮点很多,其中最值得关注的有几点:

  1、光源:粗刀刻细线

  这个国产的光刻机,采用365纳米波长光源,属于近紫外的范围。

  通常情况下,为了追求更小的纳米工艺,光刻机厂商的解决方案是,使用波长越来越短的光源。ASML就是这种思路。

  现在国外使用最广泛的光刻机的光源为193纳米波长深紫外激光,光刻分辨力只有38纳米,约0.27倍曝光波长。

  这台国产光刻机,可以做到22纳米。而且,“结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片”。

  也就是说,中科院光电所研发的这台光刻机,用波长更长(近紫外)、成本更低(汞灯)的光源,实现了更高的光刻分辨力(0.06倍曝光波长)。

  项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松在接受《中国科学报》采访时,打了一个比方:“这相当于我们用很粗的刀,刻出一条很细的线。”这就是所谓的突破分辨力衍射极限。

  因此,它也被称为世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备。

  2、成本:高端设备“白菜价”

  波长越短,成本越高。

  为获得更高分辨力,传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机,但问题在于不仅技术难度极高,装备成本也极高。

  ASML最新的第五代光刻机使用波长更短的13.5纳米极紫外光(EUV),用于实现14纳米、10纳米、及7纳米制程的芯片生产。

  一台这样的光刻机售价1亿美元以上。

  而中科院光电所这台设备,使用波长更长、更普通的紫外光,意味着国产光刻机使用低成本光源,实现了更高分辨力的光刻。

  有网友评价称,中国造的光刻机说不定和其他被中国攻克的高科技设备一样,以后也成了白菜价。

  3、突破:破局禁运,弯道超车

  这台光刻机的出现,还有另一个重要的意义。

  超分辨光刻装备项目的顺利实施,打破了国外在高端光刻装备领域的垄断,为纳米光学加工提供了全新的解决途径,也为新一代信息技术、新材料、生物医疗等先进战略技术领域,基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。

  项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松介绍:“第一个首先表现于我们现在的水平和国际上已经可以达到持一致的水平。分辨率的指标实际上也是属于国外禁运的一个指标,我们这项目出来之后对打破禁运有很大的帮助。

  第二个如果国外禁运我们也不用怕,因为我们这个技术再走下去,我们认为可以有保证。在芯片未来发展、下一代光机电集成芯片或者我们说的广义芯片(研制领域),有可能弯道超车走在更前面。

  中国光刻机制造落后现状

  目前国际上生产光刻机的主要厂商有荷兰的ASML、日本的尼康、佳能。其中,数ASML技术最为先进。

  国内也有生产光刻机的公司,比如上海微电子装备,但技术水平远远落后于ASML。

  上海微电子装备目前生产的光刻机仅能加工90纳米工艺制程芯片,这已经是国产光刻机最高水平。而ASML已经量产7纳米制程EUV光刻机,至少存在着十几年的技术差距。

  光刻机是制造芯片的核心装备,过去一直是中国的技术弱项。光刻机的水平严重制约着中国芯片技术的发展。我们一直在被“卡脖子”。

  国内的芯片制造商中芯国际、长江存储等厂商不得不高价从ASML买入光刻机。

  今年5月,日经亚洲评论曾报道,中芯国际向国际半导体设备大厂ASML下单了一台1.2亿美元的EUV光刻机,预计将于2019年初交货。

  另外,长江存储今年也从ASML买入一台浸润式光刻机,售价高达7200万美元。

  那么,所谓的光刻机到底是啥?

  光刻机原理

  光刻机,芯片制造的核心设备之一。中科院光电所的胡松、贺晓栋在《中科院之声》发表的一篇文章中这样介绍它的重要性:

  “后工业时代包括现在的工业3.0、工业4.0,都以芯片为基础,光刻机作为制造芯片的工具,就相当于工业时代的机床,前工业时代的人手。”

  但比较特殊的是,光刻机以光为“刀具”。具体来说,工艺流程大致是这样的:

  “在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶,再用光线透过掩模照射在硅片表面,被光线照射到的光刻胶会发生反应。

  此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶, 就实现了电路图从掩模到硅片的转移。”

  这只是一个简化的过程,通常情况下,想要用光刻机制造出一个芯片,需要在极其细微的结构上进行上百次套刻和数千道工艺,需要几百种设备才能完成。

  这次中科院研制成功的光刻机,能力达到了22纳米。这是什么概念呢?中科院的文章中提到了一个对比:

  “头发的直径约为80微米,22纳米是头发直径的1/3600。也就是说,这个光刻机能够在头发表面加工各种复杂的结构。”

  这台光刻机,是谁研发出来的?

  中科院光电所的7年探索

  这台光刻机背后的研究机构是中科院光电所。

  带头完成这项研发任务的,是中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家、中国科学院大学教授&博导罗先刚研究员。

  罗先刚在光电领域的学术地位从他的一长串title中可见一斑:微细加工光学技术国家重点实验室主任,国家973计划首席科学家,曾获2016年度国家技术发明一等奖,2017年中国工程院院士增选有效候选人,国家杰出青年科学基金获得者,中组部首批万人计划科技领军人才、2009年“新世纪百千万人才工程”国家级人选,2004年中科院“百人计划”入选者,中国光学学会、美国光学学会、国际光学工程学会、国际光电子与激光工程学会四大学会成员(Fellow)。

  从1995年在中科院光电技术研究所读硕士开始,罗先刚已经从事光电领域20余年了,在中科院光电技术研究所读完硕士和博士后,他去了日本理化学研究所做博士后和研究科学家。

  2004年,罗先刚回到了他读书的中科院光电技术研究所,开始担任研究员。20余年的光电学术之路上,他不仅发表了SCI收录论文100余篇,还带出了数十名优秀的硕士博士生。

  项目副总师胡松也是中科院光电技术研究所的研究员、中国科学院大学博导,在光学投影曝光微纳加工技术、 微细加工光刻技术有丰富的经验,享受国务院政府津贴,曾主持多个国家级、部委级、省级科研项目,发表十余项专利技术。

  中科院光电所完成这项计划用了7年。

  根据经济日报报道,2012年,中科院光电所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务,当时并没有任何国外成熟经验可借鉴。

  7年来,项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术,完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制,其采用365纳米波长光源,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。

  在此基础上,项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺,实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。

  另外,这个项目还发表了论文68篇,申请国家发明专利92项,其中授权47项,申请国际专利8项,授权4项,为国家培养了一支超分辨光刻技术和装备研发团队。

(责任编辑:李洁)
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